產(chǎn)品類別 | 金屬靶材 |
產(chǎn)品簡稱 | Ni |
產(chǎn)品純度 | 99.9%,99.95%,99.99% |
產(chǎn)品形狀 | 平面靶,柱狀靶,電弧靶,異型靶 |
生產(chǎn)工藝 | Vacuum Melting |
最大尺寸 | 按需定制 |
鎳靶材產(chǎn)品詳情:
在集成電路的膜層中一般用金做導(dǎo)電層,但金與晶圓(硅)容易生成AuSi低熔點化合物,導(dǎo)致金與硅界面粘接不牢固,因此在金和硅晶圓的表面之間增加了粘接層。一般用純鎳做粘接層,但鎳膜層和金膜導(dǎo)電層之間也會擴(kuò)散,因此還需要阻擋層,來防止金膜層和鎳膜層之間的擴(kuò)散。阻擋層常常采用熔點高的金屬,還要承受較大的電流密度,高純金屬釩便能滿足該要求。
所以在集成電路領(lǐng)域會用到鎳濺射靶材、釩濺射靶材、金濺射靶材等。鎳靶材是在鎳熔體中加入釩,制成鎳釩合金靶材,該合金鐵磁性較弱,更有利于磁控濺射,可同時實現(xiàn)鎳濺射靶材和釩濺射靶材的優(yōu)點,一次完成鎳層(粘接層)和釩層(阻擋層)的制備。由于鎳釩合金無磁性,廣泛應(yīng)用在電子及信息產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域。